[实用新型]基于IEEE 1500 的嵌入式SRAM存储器测试结构无效

专利信息
申请号: 201120248833.1 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN202120623U 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 谈恩民;马江波 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 陆梦云
地址: 541004 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 实用新型公开了一种基于IEEE1500的嵌入式SRAM存储器测试结构,该测试结构由嵌入式SRAM的测试壳封装与SRAM测试控制器两部分构成,测试封装壳解决了嵌入式SRAM的测试访问、测试隔离和测试的控制问题,SRAM测试控制器根据测试算法生成测试激励数据、控制封装壳Wrapper、进行响应分析、输出测试结果。应用该测试结构及测试方法,能够检测出嵌入式SRAM存储器存在的故障,有利于嵌入式SRAM存储器的测试复用,可以有效的提高SoC的集成效率。
搜索关键词: 基于 ieee 1500 嵌入式 sram 存储器 测试 结构
【主权项】:
一种基于IEEE 1500的嵌入式SRAM存储器测试结构,包括BIST测试控制器,其特征是:还包括嵌入式SRAM封装的基于IEEE 1500标准的测试壳Wrapper;所述测试壳接收BIST测试控制器送来的控制信号、指令信号、测试地址数据、测试激励数据,并将测试响应数据输出到BIST测试控制器,测试壳Wrapper围绕着被测嵌入式SRAM,测试壳中的各组成单元符合IEEE 1500标准功能描述。
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