[实用新型]光刻对准标记有效
| 申请号： | 201120253853.8 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN202133860U | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡卫东 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F7/20;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于套准波长为600nm至650nm的光刻对准标记以及用于ASML光刻机套准工艺的光刻对准标记，所述光刻对准标记的台阶深度大于等于本实用新型能够承受更大厚度的外延层，有利于提高产品的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 对准 标记 | ||
【主权项】：
1.一种用于套准波长为600nm至650nm的光刻对准标记，其特征在于，所述光刻对准标记的台阶深度大于等于![]()
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