[实用新型]直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉有效

专利信息
申请号: 201120270321.5 申请日: 2011-07-28
公开(公告)号: CN202148365U 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 戴建俊;王如军;高俊 申请(专利权)人: 江苏兆晶光电科技发展有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B29/06
代理公司: 北京市惠诚律师事务所 11353 代理人: 王美华
地址: 213200 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉,包括单晶炉体,单晶炉体包括炉筒和与炉筒相配的炉盖,炉筒内具有坩埚,坩埚内放置原料,还具有投料装置,所述的投料装置包括投料桶和升降投料桶的升降装置,炉盖上部与坩埚相对应的位置开有供投料桶进出的加料口和相应的密封盖。本实用新型的直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉,结构简单,易于实现,一炉中可以装更多的料,提高石英坩埚的利用率,同时节约了时间,提高了产能,节能降耗,降低成本。
搜索关键词: 直拉法 单晶硅 制备 具有 二次 投料 装置 单晶炉
【主权项】:
一种直拉法单晶硅制备中具有二次投料装置的单晶炉,包括单晶炉体,单晶炉体包括炉筒(1)和与炉筒(1)相配的炉盖(2),炉筒(1)内具有坩埚(3),坩埚(3)内放置原料,其特征在于:还具有投料装置,所述的投料装置包括投料桶(4)和升降投料桶(4)的升降装置(5),炉盖(2)上部与坩埚(3)相对应的位置开有供投料桶(4)进出的加料口(21)和相应的密封盖。
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