[实用新型]促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构有效
| 申请号： | 201120272942.7 | 申请日： | 2011-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN202167465U | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 杨铁牛;黄尊地;侯曙光;李昌明;黄辉;张祈莉;李鹤喜 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 方振昌 |
| 地址： | 529020 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构，包括匀气罐，匀气罐为圆盘形开口的空腔结构，匀气罐上端中心位置设有进气口，匀气罐的空腔内设有上匀气盘，匀气罐的下端开口安装有下匀气盘，上匀气盘为弧形结构，其中凹弧面与进气口相对，下匀气盘上均匀分布有小孔，小孔按所在轴向位置不同而直径不同，实现气流的均匀性分布，保证了所沉积薄膜的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 促进 气流 均匀 组合式 结构 | ||
【主权项】：
促进腔室气流均匀的双级组合式匀气结构，包括匀气罐（1），其特征在于所述匀气罐（1）为圆盘形开口的空腔结构，所述匀气罐（1）上端中心位置设有进气口（6），匀气罐（1）的空腔内设有上匀气盘（2），所述匀气罐（1）的下端开口安装有下匀气盘（3），所述上匀气盘（2）为弧形结构，其中凹弧面与进气口（6）相对，所述下匀气盘（3）上均匀分布有小孔（7），小孔（7）按所在轴向位置不同而直径不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
