[实用新型]一种低栅电容TGBT功率器件有效
| 申请号： | 201120284014.2 | 申请日： | 2011-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN202259306U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王新 | 申请（专利权）人： | 深圳市稳先微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种低栅电容TGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层，所述将硅片进行热场氧化，使其在硅片上方成长热场氧化层；所述将热场氧化层进行光刻，并保留部分在P型区外的表面，保留N+源区的部分场氧化层作为N+源区注入的屏蔽口；所述该硅片被热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅层作为栅极导电层；所述淀积二氧化硅层作为多晶硅上保护层。本实用新型具有结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，本实用新型是将IGBT的制造过程中的厚场氧化保留在P型区外的表面，从而增加了部分栅区的氧化层厚度，因电容是和介质层的厚度成反比，从而使栅电容降低，大大的提高制造成品率，具有很强的经济性和实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 tgbt 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种低栅电容TGBT功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层，其特征是所述硅片进行热场氧化，使其在硅片上方成长热场氧化层；所述将热场氧化层进行光刻，并保留部分在P型区外的表面，保留N+源区的部分场氧化层作为N+源区注入的屏蔽口；所述该硅片被热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅层作为栅极导电层；所述淀积二氧化硅层作为多晶硅层上保护层。
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