[实用新型]测试晶圆有效
申请号: | 201120299961.9 | 申请日: | 2011-08-17 |
公开(公告)号: | CN202159650U | 公开(公告)日: | 2012-03-07 |
发明(设计)人: | 韩秋华;李超伟;隋运奇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种测试晶圆,包括一测试晶圆本体和一保护层,所述保护层设置于所述测试晶圆本体的背面。本实用新型的测试晶圆,通过在测试晶圆本体的背面增设一层保护层,使得所述保护层可以作为测试晶圆的背面,该保护层可以有效阻止酸性溶液侵蚀测试晶圆的背面,防止测试晶圆的背面出现凹凸不平的现象,从而,有效延长测试晶圆的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 测试 | ||
【主权项】:
一种测试晶圆,包括一测试晶圆本体,所述测试晶圆本体包括正面以及与所述正面相对的背面,其特征在于,还包括一保护层,所述保护层设置于所述测试晶圆本体的背面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造