[实用新型]用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构有效
申请号: | 201120303753.1 | 申请日: | 2011-08-19 |
公开(公告)号: | CN202183380U | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 冯志强 | 申请(专利权)人: | 浙江舒奇蒙光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 俞润体 |
地址: | 311227 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型专利涉及一种栅线结构,尤其涉及一种用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构。包括硅片,所述的硅片的表面设有横向均布的子栅线,所述的硅片的表面设有两条纵向分布且相间隔的主栅线槽,所述的主栅线槽的宽度为1.4mm,所述的子栅线的宽度为0.07mm。用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构结构简单,提高转换效率,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶体 太阳能电池 正面 结构 | ||
【主权项】:
一种用于晶体硅太阳能电池的正面栅线结构,其特征在于:包括硅片(1),所述的硅片(1)的表面设有横向均布的子栅线(2),所述的硅片(1)的表面设有两条纵向分布且相间隔的主栅线槽(3‑1,3‑2),所述的主栅线槽(3‑1,3‑2)的宽度为1.4mm,所述的子栅线(2)的宽度为0.07mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的