[实用新型]一种大功率芯片的封装结构有效
| 申请号： | 201120308437.3 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN202178250U | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 黄素娟 | 申请（专利权）人： | 扬州江新电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 董旭东 |
| 地址： | 225004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率芯片的封装结构，属芯片封装结构技术领域。它包括芯片、芯片表面金属层和引脚焊片，所述芯片和所述芯片表面金属层通过欧姆接触相连接，所述芯片表面金属层通过低熔点焊锡与所述引脚焊片连接。本实用新型通过欧姆接触使得芯片和芯片表面金属层之间不产生明显的附加阻抗，而且不会使芯片内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。采用低熔点焊锡降低了芯片封装时的焊接温度，减少了气泡的产生几率，从而使得芯片表面金属层和引脚焊片之间的焊接更加牢固。本实用新型使得芯片在不改变外形尺寸的前提下，提供了更大的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 芯片 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率芯片的封装结构，包括芯片、芯片表面金属层和引脚焊片，其特征在于，所述芯片和所述芯片表面金属层通过欧姆接触相连接，所述芯片表面金属层通过低熔点焊锡与所述引脚焊片连接。
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