[实用新型]延时单元电路有效
| 申请号： | 201120309001.6 | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN202221985U | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 刘铭 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/1252 | 分类号： | H03K5/1252 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种延时单元电路，其包括：第一PMOS管，其源极与电源VDD相连接，其漏极与第二PMOS管的源极相连接，其栅极与输入电压Vin相连接；第二PMOS管，其栅极与第一滤波电路相连接，其漏极分别与第二NMOS管的漏极和公共连接点相连接；第二NMOS管，其漏极与公共连接点相连接，其栅极与第二滤波电路相连接，其源极与第一NMOS管的漏极相连接；第一NMOS管，其栅极与输入电压Vin相连接，其源极接地；第一电容，其第一端与公共连接点相连接，其第二端与电源VDD相连接；第二电容，其第一端与公共连接点相连接，其第二端接地；反相器，其输入端与公共连接点相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 延时 单元 电路 | ||
【主权项】：
一种延时单元电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电容、第二电容、反相器、第一滤波电路和第二滤波电路，其中所述第一PMOS管的源极与电源VDD相连接，所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极相连接，所述第一PMOS管的栅极与输入电压Vin相连接；所述第二PMOS管的栅极与所述第一滤波电路相连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第二NMOS管的漏极和公共连接点相连接；所述第二NMOS管的漏极与所述公共连接点相连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第二滤波电路相连接，所述第二NMOS管的源极与所述第一NMOS管的漏极相连接；所述第一NMOS管的栅极与输入电压Vin相连接，所述第一NMOS管的源极接地；所述第一电容的第一端与所述公共连接点相连接，所述第一电容的第二端与电源VDD相连接；所述第二电容的第一端与所述公共连接点相连接，所述第二电容的第二端接地；所述反相器的输入端与所述公共连接点相连接。
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