[实用新型]磁芯结构有效

专利信息
申请号: 201120313037.1 申请日: 2011-08-25
公开(公告)号: CN202230822U 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 李前军;蔡中德 申请(专利权)人: 天长市中德电子有限公司
主分类号: H01F3/00 分类号: H01F3/00;H01F27/24;H01F41/02
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 陈丽燕
地址: 239300*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型公开了一种磁芯结构,在磁芯的磁柱左侧面和右侧面上各开设一条沿磁芯宽度方向的槽口,所述槽口为方形槽口,其中,左侧面和右侧面为宽度方向(Y)和高度方向(Z)所在的平面。所述方形槽口开设在磁柱的中心线上。在本实用新型中,在磁芯的磁柱左侧面和右侧面上各开设一条沿磁芯宽度方向Y的槽口,避免了现有技术中在磁芯的磁柱正、反两面各开设一条沿磁芯长度方向X的半圆形槽口时导致磁芯出现裂纹的现象,磁性的性能稳定。
搜索关键词: 结构
【主权项】:
一种磁芯结构,其特征在于,在磁芯的磁柱左侧面和右侧面上各开设一条沿磁芯宽度方向的槽口,所述槽口为方形槽口,其中,左侧面和右侧面为宽度方向(Y)和高度方向(Z)所在的平面。
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