[实用新型]InAlN/GaN 异质结有源区的埋层结构有效
| 申请号： | 201120317811.6 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN202221763U | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 邢东;冯志红;房玉龙;刘波;张雄文;敦少博;蔡树军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构，所述埋层结构包括由下至上依次排列的半绝缘衬底、InxAlN/GaN异质结、刻蚀终止层、缓冲层和半导体层。本实用新型实现了InAlN/GaNHEMT异质结器件与其他半导体器件（其组分含In、Al、Ga、N元素）的连接，将不同器件集成在一个晶圆片上。为将来实现InxAlN/GaNHEMT与其他半导体器件（半导体由In，Ga，Al，N至少两种元素以上组成）的集成提供了一条新技术路线。 | ||
| 搜索关键词： | inaln gan 异质结 有源 结构 | ||
【主权项】：
1.一种InAlN/GaN异质结有源区的埋层结构，包括半导体层（1）、InxAlN/GaN异质结（4）和半绝缘衬底（5），其特征在于还包括缓冲层（2）、刻蚀终止层（3）；所述InxAlN/GaN异质结（4）中x的取值为0～1；所述半绝缘衬底（5）、InxAlN/GaN异质结（4）、刻蚀终止层（3）、缓冲层（2）和半导体层（1）的厚度大于0，由下至上依次排列。
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