[实用新型]一种MOCVD系统及其中反应气体的排气装置有效
申请号: | 201120320510.9 | 申请日: | 2011-08-30 |
公开(公告)号: | CN202208759U | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 陈爱华;吕青;金小亮;张伟 | 申请(专利权)人: | 中晟光电设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 张静洁;徐雯琼 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种MOCVD系统及其中反应气体的排气装置,该排气装置包括排气环,在排气环中设置了容纳冷却液并使其流通的若干内部空槽,以及使反应区域内的反应气体贯穿所述排气环排出的结构。本实用新型在实现均匀排气的同时,设置连接排气环的至少两个连杆,在排气环与连杆中设置相连通的内部空槽供冷却液循环流通,实现对排气环的冷却;并且,该排气装置还包括外环部分,离开反应区域的反应气体沿着外环部分向下流动,有效减少MOCVD系统内壁上沉积物的产生;此外,在驱动装置的作用下,使排气环上升或下降对应控制该MOCVD系统中反应室与外部连通的通道的闭合和打开,方便机械手等经由该通道进入反应室来取放外延基片,实现自动化操作。 | ||
搜索关键词: | 一种 mocvd 系统 其中 反应 气体 排气装置 | ||
【主权项】:
一种MOCVD系统中反应气体的排气装置,其特征在于,所述排气装置包含一环状的排气环(400),其在该MOCVD系统的反应室内环绕设置;所述排气环(400)设置有若干个内部空槽(412),以容纳冷却液并使冷却液在所述若干个内部空槽(412)内流动;所述排气环(400)还设置有贯穿该排气环(400)的结构,以使反应区域内的反应气体通过该贯穿结构排出。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的