[实用新型]带有局部冷却装置的多晶硅热场有效
| 申请号： | 201120321289.9 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN202246974U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 张志强 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种带有局部冷却装置的多晶硅热场，包括由上炉体和下炉体组成的炉腔，所述的炉腔内设置有一个保温腔，所述的保温腔底板上设置有冷却器，所述的冷却器呈回字型往复结构布置，冷却器的底部连通有导管，所述的导管穿过保温腔底板延升至炉腔外部。采用本实用新型可以增加多晶硅助凝块底部温度分布的均匀性，在利用籽晶诱导法生长铸锭单晶时，在化料后期强化边缘冷却效果，保护籽晶不被完全融化；在化料过程中可以提高热场温度，加快籽晶以上部分硅料的熔化速度，缩短生长周期；能够减少晶体内由于温度梯度差引起的位错等晶体缺陷密度，提高晶体质量；在结晶初期，提高径向温度梯度，促进晶粒横向生长，增大多晶硅柱状晶晶粒的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 局部 冷却 装置 多晶 硅热场 | ||
【主权项】：
一种带有局部冷却装置的多晶硅热场，包括由上炉体和下炉体组成的炉腔，所述的炉腔内设置有一个保温腔，其特征在于：所述的保温腔底板上设置有冷却器，所述的冷却器呈回字型往复结构布置，冷却器的底部连通有导管，所述的导管穿过保温腔底板延升至炉腔外部。
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