[实用新型]具有埋层二氧化硅的压力传感器结构有效
| 申请号： | 201120321842.9 | 申请日： | 2011-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN202216793U | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 孙海鑫;韩民俊;乔康;顾天刚;陈艳 | 申请（专利权）人： | 江苏奥力威传感高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225000 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 具有埋层二氧化硅的压力传感器结构，包括硅片基体，硅片基体的上表层是单晶硅层，在单晶硅层的下部硅片基体内是一层二氧化硅埋层，所述二氧化硅埋层不与单晶硅层直接接触，并且在单晶硅层上设置有偶数个金属连线孔，所述金属连线孔贯通到所述二氧化硅埋层。本实用新型提供的新型的二氧化硅埋层结构，在单晶硅材料中形成埋层二氧化硅，用以隔离作为测量电路的顶部硅层与体硅之间因温度升高而造成的漏电流，具有耐高温、低压、低功耗的优势，可以使加工的MEMS硅传感器大幅提高对恶劣测量环境的适应能力，拓展MEMS硅传感器的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二氧化硅 压力传感器 结构 | ||
【主权项】：
具有埋层二氧化硅的压力传感器结构，包括硅片基体，其特征在于，硅片基体的上表层是单晶硅层，在单晶硅层的下部硅片基体内是一层二氧化硅埋层，所述二氧化硅埋层不与单晶硅层直接接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏奥力威传感高科股份有限公司，未经江苏奥力威传感高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120321842.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
