[实用新型]还原炉锥形硅芯沉积基体有效

专利信息
申请号: 201120326701.6 申请日: 2011-08-24
公开(公告)号: CN202175563U 公开(公告)日: 2012-03-28
发明(设计)人: 刘毅;刘松林;刘建中;李波;叶军;张玉泉;李伟;翁博丰 申请(专利权)人: 陕西天宏硅材料有限责任公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 712038 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种还原炉锥形硅芯沉积基体,它属于多晶硅生产领域。它包括:硅芯桥架、两根相同的长硅芯,硅芯桥架的两端设有锥形孔,在长硅芯顶端设有锥形顶部,其锥形顶部与硅芯桥架两端锥形孔相对应,两根长硅芯顶端的锥形顶部分别插进硅芯桥架两端的锥形孔内;其具有以下优点:其一:增大长硅芯与硅芯桥架的接触面积,降低长硅芯和硅芯桥架的接触电阻,缩短预热时间,降低功耗,减少倒炉;其二:长硅芯与硅芯桥架的接口完全接触,使得接触电阻降低,缩短击穿时间,降低能耗。其三、硅芯桥架的孔与长硅芯的锥度完全相同,保证了进料时硅芯桥架的稳定性,大大降低了还原炉的倒炉率。其四:整套硅芯结构简单,生产方便,安装容易。
搜索关键词: 还原 锥形 沉积 基体
【主权项】:
一种还原炉锥形硅芯沉积基体,它包括:硅芯桥架(1)、两根相同的长硅芯(4),其特征在于:硅芯桥架(1)的两端设有锥形孔(2),在长硅芯(4)顶端设有锥形顶部(3),其锥形顶部(3)与硅芯桥架(1)两端锥形孔(2)相对应,两根长硅芯(4)顶端的锥形顶部(3)分别插进硅芯桥架(1)两端的锥形孔(2)内,所述的长硅芯(4)的锥度与硅芯桥架(1)两端锥形孔(2)的锥度相同。
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