[实用新型]一种扩散炉管DCE吹扫的进气路装置有效
| 申请号： | 201120341321.X | 申请日： | 2011-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN202230992U | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 赵之俊;刘明;孔德浩;丁乙人 | 申请（专利权）人： | 康可电子（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B31/16 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 214142 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种扩散炉管DCE吹扫的进气路装置，该进气路装置具有一个两位三通气动阀，其入口接氮气源，且其出口具有在常开端和常闭端相切换的两条气路，两条气路分别各自连接一个单向阀，其中该常开端的单向阀另一端与排风装置相接；该常闭端的单向阀另一端连入DCE鼓泡装置的进气口，并且该DCE鼓泡装置的排气口通过第三单向阀与扩散炉管相连通。本实用新型DCE气路改进的应用，能够消除扩散炉管使用DCE吹扫过程中的着火隐患，保证低压氮气的气流平稳，提高了工艺设备的安全可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 炉管 dce 进气路 装置 | ||
【主权项】：
一种扩散炉管DCE吹扫的进气路装置，其特征在于：所述进气路装置具有一个两位三通气动阀，所述两位三通气动阀的入口接氮气源，且其出口具有在常开端和常闭端相切换的两条气路，两条气路分别各自连接一个单向阀，其中所述常开端的单向阀另一端与排风装置相接；所述常闭端的单向阀另一端连入DCE鼓泡装置的进气口，并且所述DCE鼓泡装置的排气口通过第三单向阀与扩散炉管相连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
