[实用新型]坩埚测温仪辅助晶体生长装置有效

专利信息
申请号: 201120355959.9 申请日: 2011-09-22
公开(公告)号: CN202220222U 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 吕立强 申请(专利权)人: 上海朗兆机电设备有限公司
主分类号: C30B35/00 分类号: C30B35/00;C30B29/20
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 缪利明
地址: 200235 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型坩埚测温仪辅助晶体生长装置,包括:炉体,在所述炉体的上端设有上观察窗,在所述炉体的下端设有下观察窗;温场,所述温场设置在所述炉体内,所述温场的一端与所述炉体的上端壳体连接;坩埚,所述坩埚设置在所述温场内;坩埚轴,所述坩埚轴设置在所述炉体内,所述坩埚轴的一端与所述温场连接,所述坩埚轴的另外一端与所述炉体的下端壳体连接;冷却装置,所述冷却装置设置在所述炉体下端外侧;测温座,所述测温座设置在所述炉体的外侧。本实用新型坩埚测温仪辅助晶体生长装置通过采用红外测温仪将炉体内温场的温度输出给温度控制系统,并通过调整电源输出功率,调整温场的温度,保证结晶界面的稳定性和晶体的完整性。
搜索关键词: 坩埚 测温 辅助 晶体生长 装置
【主权项】:
坩埚测温仪辅助晶体生长装置,其特征在于,包括:炉体,在所述炉体的上端设有上观察窗,在所述炉体的下端设有下观察窗;温场,所述温场设置在所述炉体内,所述温场的一端与所述炉体的上端壳体连接;坩埚,所述坩埚设置在所述温场内;坩埚轴,所述坩埚轴设置在所述炉体内,所述坩埚轴的一端与所述温场连接,所述坩埚轴的另外一端与所述炉体的下端壳体连接;冷却装置,所述冷却装置设置在所述炉体下端外侧;测温座,所述测温座设置在所述炉体的外侧。
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