[实用新型]还原炉梯形硅芯沉积基体有效

专利信息
申请号: 201120366932.X 申请日: 2011-09-21
公开(公告)号: CN202226671U 公开(公告)日: 2012-05-23
发明(设计)人: 刘毅;刘松林;刘建中;李波;叶军;张玉泉;李伟;翁博丰 申请(专利权)人: 陕西天宏硅材料有限责任公司
主分类号: C01B33/03 分类号: C01B33/03
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 712038 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型涉及一种还原炉梯形硅芯沉积基体,它包括:硅芯桥架、两根相同的长硅芯,硅芯桥架的两端设有倒梯形切口,在长硅芯顶端设有梯形丫口,长硅芯竖直安装在还原炉的石墨底座上,硅芯桥架倒梯形切口搭接在竖直安装的长硅芯顶端的梯形丫口处,硅芯桥架把两根长硅芯连接成一闭合回路,加载到长硅芯两端的电流把整套硅芯沉积基体加热到合适的反应温度,硅芯桥架两端的卡瓣卡在长硅芯的两端,使得整套硅芯沉积基体结构稳定,一、降低长硅芯和硅芯桥架的接触电阻,缩短预热时间,降低功耗,减少倒炉;二、长硅芯和硅芯桥架采用区熔法拉制或切割成的硅芯,使得生产容易,降低生产成本;三、长硅芯底部可以做成平面也可以磨成锥面,按照生产的需要可以优化变动。
搜索关键词: 还原 梯形 沉积 基体
【主权项】:
一种还原炉梯形硅芯沉积基体,它包括:硅芯桥架(1)、两根相同的长硅芯(4),其特征在于:硅芯桥架(1)的两端设有倒梯形切口(2),在长硅芯(4)顶端设有梯形丫口(3),其梯形丫口(3)与硅芯桥架(1)两端倒梯形切口(2)相对应,长硅芯(4)竖直安装在还原炉的石墨底座上,硅芯桥架(1)倒梯形切口(2)搭接在竖直安装的长硅芯(4)顶端的梯形丫口(3)处。
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