[实用新型]一种金属氧化物半导体场效应晶体管单元有效
| 申请号： | 201120369338.6 | 申请日： | 2011-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN202231016U | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 王金;黄泽军 | 申请（专利权）人： | 张万召 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/40;H01L29/08;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管单元，其目的在于针对现有技术的不足，提供一种具有纵向沟道、纵向栅场板、台阶式体漏极和场终止缓冲区的SOILDMOS单元。其技术方案主要包括半导体基片，隐埋氧化层将所述半导体基片分为上下两部分，所述下部为衬底，所述上部为顶层半导体。该器件单元在导通态时，漂移区电流被引导沿漂移区纵向均匀分布，明显改善扩展电阻、电导调制效应均匀性，从而显著改善SOILDMOS器件通态电流、压降、功耗和断态耐压等性能及耐高温等可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 单元 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体场效应晶体管单元，其特征在于，包括半导体基片，隐埋氧化层将所述半导体基片分为上下两部分，所述下部为衬底，所述上部为顶层半导体；顶层半导体上设置栅极、源极、漂移区、漏极,所述的栅极、源极短接;在半导体基片的硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层,所述栅极嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面,所述漏极接触负极面铝钛镍银金属层的顶面。
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