[实用新型]等离子体反应器有效
申请号: | 201120372913.8 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN202231939U | 公开(公告)日: | 2012-05-23 |
发明(设计)人: | 张海洋;王新鹏 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H05H1/03 | 分类号: | H05H1/03;H01J37/32 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种等离子体反应器。这种等离子体反应器,包括:上部电极、下部电极和电源,所述下部电极和所述电源连接,所述上部电极与所述下部电极之间形成等离子体反应腔室,所述上部电极是中部外凸的曲面体。本实用新型提供的等离子体反应器,通过将上部电极由现有的平面型式改成中部外凸的曲面型式,可以提高上部电极和下部电极之间的等离子体反应腔室内侧部的电场强度,进而使得晶圆边缘上方的等离子体密度与晶圆中部上方的等离子体密度基本相同,也就是说,使得上部电极和下部电极之间各个区域的电场强度基本相同,从而可以提高晶圆各个部位的等离子体反应的均匀性,最终提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 反应器 | ||
【主权项】:
一种等离子体反应器,包括:上部电极、下部电极和电源,所述下部电极和所述电源连接,所述上部电极与所述下部电极之间形成等离子体反应腔室,其特征在于,所述上部电极是中部外凸的曲面体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120372913.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。