[实用新型]LIGBT输出级集成电路有效
| 申请号： | 201120379483.2 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN202231691U | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 乔明;赵磊;张波 | 申请（专利权）人： | 深圳市联德合微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人： | 王翀 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区艺*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及LIGBT输出级集成电路，其包括控制电路以及LDMOS输出级与LIGBT输出级，所述LDMOS输出级与LIGBT输出级的栅极与控制电路连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级的源极与LIGBT输出级的阴极连接，所述LDMOS输出级的漏极与LIGBT输出级的阳极连接。由于LDMOS器件耐压与导通电阻之间的矛盾，使LDMOS作为集成电路输出级时，具有较大的导通电阻，增加了集成电路输出级的导通损耗。本实用新型采用具有电导调制效应的LIGBT输出级，降低输出级单位面积的导通电阻，提高输出级单位面积的电流能力，从而减小集成电路面积及节约芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | ligbt 输出 集成电路 | ||
【主权项】：
一种LIGBT输出级集成电路，其特征在于，包括控制电路(1)以及LDMOS输出级(6)与LIGBT输出级(7)，所述LDMOS输出级(6)及LIGBT输出级(7)的栅极与控制电路(1)连接，其中在电位相同时，所述LDMOS输出级(6)的源极与LIGBT输出级(7)的阴极连接，所述LDMOS输出级(6)的漏极与LIGBT输出级(7)的阳极连接。
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