[实用新型]可降低外延时自掺杂的外延片衬底、外延片及半导体器件有效
| 申请号： | 201120381612.1 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN202332817U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 顾昱;钟旻远;林志鑫;陈斌 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;C30B25/18 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种可降低外延时自掺杂的外延片衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面具有二氧化硅层。使用本实用新型中的可降低外延时自掺杂的外延片衬底生产的外延层，其电阻率均匀性数值可以做到＜1.5％。相比于未使用本实用新型的可降低外延时自掺杂的外延片衬底生产的外延层，可大幅提高外延层电阻均匀性。使用本实用新型中的可降低外延时自掺杂的外延片衬底，可降低后续生产成本，提高产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 外延 掺杂 衬底 半导体器件 | ||
【主权项】：
可降低外延时自掺杂的外延片衬底，包括衬底本体，其特征在于，所述衬底本体背面具有二氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晶盟硅材料有限公司，未经上海晶盟硅材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120381612.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
