[实用新型]双向加热半导体器件焊接装置有效
申请号: | 201120385897.6 | 申请日: | 2011-09-24 |
公开(公告)号: | CN202240031U | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 陈建民;陈建卫;陈磊 | 申请(专利权)人: | 河南鸿昌电子有限公司 |
主分类号: | B23K3/04 | 分类号: | B23K3/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 461500 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种双向加热半导体器件焊接装置,包括底座和底座上活动的压盘,所述的底座具有加热底板,所述的压盘是导热性能好的金属制成的,压盘上具有加热装置,所述加热装置是在压盘内具有安装加热管的空槽,加热管安装在空槽内,这样的双向加热半导体器件焊接装置具有效率高、使用工艺简单、产品质量高的优点。 | ||
搜索关键词: | 双向 加热 半导体器件 焊接 装置 | ||
【主权项】:
双向加热半导体器件焊接装置,包括底座和底座上活动的压盘,所述的底座具有加热底板,其特征是:所述的压盘是导热性能好的金属制成的,压盘上具有加热装置。
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