[实用新型]耐高压钝化保护二极管芯片有效

专利信息
申请号: 201120386728.4 申请日: 2011-10-12
公开(公告)号: CN202332818U 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 汪良恩;裘立强;喻慧丹 申请(专利权)人: 扬州杰利半导体有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 225008 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 耐高压钝化保护二极管芯片。涉及一种具有钝化保护结构的二极管芯片。提供一种在确保封装温度下能可靠地保护芯片,解决封装隐患,且制作工艺更简单的耐高压钝化保护二极管芯片。本实用新型相对于现有工艺在掩膜时,固化沟槽内的所有填充料(现有技术中为防止裂片时钝化保护层碎裂,必须将沟槽中间的玻璃去除);然后,采用热压模压制、加热固化成型;制得产品能保留底部的玻璃材料,在裂片后,确保整个弧面覆盖有钝化保护层,且与现有技术相比,玻璃层厚度更大,因此钝化保护层的强度相应也更大,从而无需在钝化保护层(玻璃层)外再设置缓冲保护层。由于模压口沟槽最低部的玻璃最薄,在裂片时,能形成理想的断裂面(与芯片的轴线平行)。
搜索关键词: 高压 钝化 保护 二极管 芯片
【主权项】:
耐高压钝化保护二极管芯片,所述芯片包括片状本体和钝化保护层,所述片状本体的上部设有一圈倒角,在轴向截面上所述倒角的斜边呈内凹的弧形,其特征在于,钝化保护层覆盖所述芯片顶面边缘处及倒角的弧形面;在所述钝化保护层的外表面还设有二氧化硅防护膜层。
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