[实用新型]太阳能电池有效
申请号: | 201120395855.0 | 申请日: | 2011-10-18 |
公开(公告)号: | CN202434535U | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 庄尚余;罗珮婷;戴煜暐;陈伟铭 | 申请(专利权)人: | 新日光能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种太阳能电池包括一半导体基板以及一复合多功能保护膜。半导体基板的表面具有一掺杂层,掺杂层的深度介于200nm至1000nm之间,掺杂层的表面掺杂浓度介于1×1019至5×1020atoms/cm3之间。复合多功能保护膜设置在掺杂层上,复合多功能保护膜具有复数膜层,达到钝化、抗反射及保护的功能。所述膜层最接近掺杂层的一层,其膜层厚度小于40nm。本实用新型的太阳能电池有别于现行半导体基板的高表面掺杂浓度,利用较低表面掺杂浓度方式,达到降低再结合损失的目的,进而提升光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,其特征在于,包括:一半导体基板,其表面具有一掺杂层,所述掺杂层的深度介于200nm至1000nm之间,所述掺杂层的表面掺杂浓度介于1×1019至5×1020atoms/cm3之间;以及一复合多功能保护膜,设置在所述掺杂层上,所述复合多功能保护膜具有多个膜层,达到钝化、抗反射及保护的功能,所述膜层最接近所述掺杂层的一层,其膜层厚度小于40nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的