[实用新型]平面结构型超高压二极管芯片有效
| 申请号： | 201120398926.2 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN202259305U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 汪良恩;裘立强;谢盛达;葛宜威 | 申请（专利权）人： | 扬州杰利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 225008 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 平面结构型超高压二极管芯片。涉及平面结构超高压二极管芯片。耐温性能高，正反向浪涌能力有较大提升。本体呈薄片状，本体上部设有主结和顶面电极，本体下部设有衬底和底面电极，在主结外圈还设有至少两圈场限环；在最外圈场限环外部还设有一圈截止环；至少两圈场限环的顶面高度与主结顶面高度一致，至少两圈场限环的深度与主结的深度一致；截止环的顶面高度与主结的顶面高度一致。本实用新型在芯片本体顶部最外圈设置截止环后，能够有效防止电荷扩展到顶部边角，避免发生短路。本实用新型既实现了产品的增压，又能避免电场扩展。大大提升产品高温性能，达到Tj=175℃不失效，正反向浪涌能力有较大提升。通常被封装在三相、单项整流桥和各种混合模型中。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 结构 超高压 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
平面结构型超高压二极管芯片，所述芯片本体呈薄片状，芯片本体上部设有主结和顶面电极，芯片本体下部设有衬底和底面电极，其特征在于，在所述主结外圈还设有至少两圈场限环；在最外圈场限环的外部还设有一圈截止环；所述至少两圈场限环的顶面高度与所述主结顶面高度一致，所述至少两圈场限环的深度与所述主结的深度一致；所述截止环的顶面高度与所述主结的顶面高度一致。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州杰利半导体有限公司，未经扬州杰利半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120398926.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能插头、插座及其插接装置
- 下一篇：一种基于抗电涌结构的漏电开关保护器
- 同类专利
- 专利分类
