[实用新型]高度小型化的基片集成波导谐振器有效
| 申请号： | 201120408595.6 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN202259650U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 程钰间;张传安;樊勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01P7/00 | 分类号： | H01P7/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种高度小型化的基片集成波导谐振器，包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层和第三金属覆铜层，所述金属化通孔依次贯穿了上述隔层后与第三金属覆铜层连接，形成上下两组层叠的正方形腔，所述第二金属覆铜层中对应于正方形腔的位置内紧靠金属化通孔处具有一组贯穿第二金属覆铜层的C型槽，所述C型槽临近两端处分别连接两根微带线，微带线靠近C型槽的一端两侧分别具有贯穿第二金属覆铜层的耦合槽，所述耦合槽与C型槽相连，所述金属化通孔在微带线、耦合槽处中断。本实用新型的有益效果：将现有的基片集成波导谐振器结构进行折叠，从而极大地缩小了现有谐振器的电路面积。 | ||
| 搜索关键词： | 高度 小型化 集成 波导 谐振器 | ||
【主权项】：
一种高度小型化的基片集成波导谐振器，包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层和第三金属覆铜层，其特征在于，所述金属化通孔依次贯穿了第一金属覆铜层、第一介质层、第二金属覆铜层、第二介质层与第三金属覆铜层连接，形成上下两组层叠的正方形腔，所述第二金属覆铜层中对应于正方形腔的位置内紧靠金属化通孔处具有一组贯穿第二金属覆铜层的C型槽，所述C型槽临近两端处分别连接两根微带线，所述微带线靠近C型槽的一端两侧分别具有贯穿第二金属覆铜层的耦合槽，所述耦合槽与C型槽相连，所述金属化通孔在微带线、耦合槽处中断。
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