[实用新型]半导体元件及半导体装置有效
| 申请号： | 201120418814.9 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN202394977U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 内田正雄 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体元件及半导体装置。半导体元件具备：第1导电型的半导体基板；位于半导体基板主面上的第1导电型的第1碳化硅半导体层；与第1碳化硅半导体层的表面相接且位于第1碳化硅半导体层内的第2导电型的体区域；位于体区域内的第1导电型的杂质区域；与体区域及杂质区域相接且配置于第1碳化硅半导体层表面的第1导电型的第2碳化硅半导体层；与杂质区域电连接的第1欧姆电极；设置于半导体基板背面的第2欧姆电极。第2导电型的体区域包括与第2碳化硅半导体层的表面相接的第1体区域和介于第1体区域与第1碳化硅半导体层之间的第2体区域。从垂直于半导体基板主面的方向看，第2体区域的外周的上端部分与第1体区域的外周一致。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 装置 | ||
【主权项】：
半导体元件，其特征在于，具备：第1导电型的半导体基板；第1导电型的第1碳化硅半导体层，位于所述半导体基板的主面上；第2导电型的体区域，与所述第1碳化硅半导体层的表面相接，且位于所述第1碳化硅半导体层内；第1导电型的杂质区域，位于所述体区域内；第1导电型的第2碳化硅半导体层，与所述体区域及所述杂质区域相接，且配置于所述第1碳化硅半导体层的表面；所述第2碳化硅半导体层上的栅绝缘膜；所述栅绝缘膜上的栅电极；第1欧姆电极，与所述杂质区域电连接；和第2欧姆电极，设置于所述半导体基板的背面，所述第2导电型的体区域包括：与所述第2碳化硅半导体层的表面相接的第1体区域；和介于所述第1体区域与所述第1碳化硅半导体层之间的第2体区域，从垂直于所述半导体基板的主面的方向来看，所述第2体区域的外周的上端部分与所述第1体区域的外周一致。
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