[实用新型]一种白光LED外延结构、白光LED芯片结构有效
| 申请号： | 201120420813.8 | 申请日： | 2011-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN202259400U | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 李玉芝;吉爱华;祝菡菡 | 申请（专利权）人： | 潍坊广生新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08 |
| 代理公司： | 潍坊正信专利事务所 37216 | 代理人： | 张曰俊 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种白光LED外延结构以及含有该外延结构的白光LED芯片结构。所述外延结构的外延片包括从下至上依次设置的ZnS衬底、GaN过渡层、第一N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱发光层、第一P-GaN接触层、N-GaN级联层、第二N-GaN接触层、掺杂Si和Zn的In0.49Ga0.51N/GaN多量子阱发光层和第二P-GaN接触层。本实用新型的白光LED外延结构及芯片结构不用涂覆荧光粉，因此从根本上摆脱了荧光粉的束缚，发光质量好、显色性好、提高了工作稳定性和使用寿命，减少了封装工序，可以使从白光LED的外延、芯片、封装、应用整个产业链的生产工艺简化，生产效率高，适于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 白光 led 外延 结构 芯片 | ||
【主权项】：
一种白光LED外延结构，包括外延片，其特征在于：所述外延片包括从下至上依次设置的ZnS衬底、GaN过渡层、第一N‑GaN接触层、掺杂Si和Zn的In0.2Ga0.8N/GaN多量子阱发光层、第一P‑GaN接触层、N‑GaN级联层、第二N‑GaN接触层、掺杂Si和Zn的In0.49Ga0.51N/GaN多量子阱发光层和第二P‑GaN接触层。
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