[实用新型]一种大功率MOSFMT模块有效
| 申请号： | 201120426710.2 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN202586843U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 丁杰;王金 | 申请（专利权）人： | 丁杰 |
| 主分类号： | H02P6/00 | 分类号： | H02P6/00;H01L23/40;H01L23/367;H05K1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 234000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率MOSFMT模块，包括PCB线路板，PCB线路板上设置有MOSFMT管、电容和电阻；所述MOSFMT管的散热器、所述PCB线路板是采用相同的材料一体成型；所述散热器内开设有冷却风道，该冷却风道的进风口设置有微型风扇，所述MOSFMT管包括一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；高浓度第一型掺杂的漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；高浓度第一型掺杂的源极区，位于所述第二型基区中；栅极区，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。本实用加工简单，而且有效解决安装压紧固定和散热的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 mosfmt 模块 | ||
【主权项】：
一种大功率MOSFMT模块，其特征是，包括PCB线路板，PCB线路板上设置有MOSFMT管、电容和电阻；所述MOSFMT管的散热器、所述PCB线路板是采用相同的材料一体成型；所述散热器内开设有冷却风道，该冷却风道的进风口设置有微型风扇，所述MOSFMT管包括一半导体衬底；第一型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；高浓度第一型掺杂的漏极接触区，位于所述第一型掺杂阱中；第二型掺杂阱，位于所述半导体衬底上；第二型基区，位于所述第二型掺杂阱中，掺杂深度比所述第二型掺杂阱浅；高浓度第一型掺杂的源极区，位于所述第二型基区中；栅极区，和所述第一型掺杂阱和第二型基区部分重叠；以及场氧区，位于栅极区和漏极接触区之间；其中，位于栅极区下方的第二型基区中的沟道呈水平结构。
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