[实用新型]用于准单晶制备的坩埚底板有效
| 申请号： | 201120429255.1 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN202323111U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张松江;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 缪利明 |
| 地址： | 200444 上海市宝*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于准单晶制备的坩埚底板，包括：坩埚，所述坩埚为一端开口设计；坩埚底板，所述坩埚底板设置在所述坩埚的底部；底板孔座，所述底板孔座设置在所述坩埚底板上；底板孔，所述底板孔设置在所述底板孔座上；籽晶，所述籽晶设置在所述底板孔内。本实用新型用于准单晶制备的坩埚底板与其它准单晶铸锭技术相比，具有安全性能高、稳定性好、易于控制、成本低廉、操作简单等特点；铸造的铸锭单晶覆盖率高，使得所做的硅片转换效率比正常硅片高1％。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 准单晶 制备 坩埚 底板 | ||
【主权项】：
用于准单晶制备的坩埚底板，其特征在于，包括：坩埚，所述坩埚为一端开口设计；坩埚底板，所述坩埚底板设置在所述坩埚的底部；底板孔座，所述底板孔座设置在所述坩埚底板上；底板孔，所述底板孔设置在所述底板孔座上；籽晶，所述籽晶设置在所述底板孔内。
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