[实用新型]铆钉互联结构的图像传感器封装结构有效
申请号: | 201120435009.7 | 申请日: | 2011-11-07 |
公开(公告)号: | CN202307899U | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 张黎;赖志明;陈栋;陈锦辉 | 申请(专利权)人: | 江阴长电先进封装有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 江阴市同盛专利事务所 32210 | 代理人: | 唐纫兰 |
地址: | 214434 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种铆钉互联结构的图像传感器封装结构,所述结构包括已经设置有芯片内部钝化层(2)、芯片内部金属层(3)及感光区(4)的芯片本体(1)以及隔离层(6)、硅沟槽(13)和盲孔Ⅰ(6.1),在所述盲孔Ⅰ(6.1)内以及芯片内部钝化层(2)的下表面形成钉帽(7),在芯片本体(1)下表面、硅沟槽(13)内、裸露出的芯片内部钝化层(2)的下表面以及钉帽(7)的帽沿(7-2)的表面选择性的设置绝缘层(8),并在所述钉帽(7)下方的绝缘层(8)上设置开口,形成盲孔Ⅱ(8-1),金属线路层(9)填充于所述盲孔Ⅱ(8-1)内,形成钉头(9-1),及选择的形成于绝缘层(8)表面,钉头(9-1)与所述钉帽(7)形成铆钉互联结构。本实用新型易于实现且结构简单、互联可靠性好。 | ||
搜索关键词: | 铆钉 联结 图像传感器 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种铆钉互联结构的图像传感器封装结构,所述结构包括已经设置有芯片内部钝化层(2)、芯片内部金属层(3)及感光区(4)的芯片本体(1),其特征在于:在芯片本体(1)的上表面设置有隔离层(6),隔离层(6)覆盖或不覆盖感光区;在隔离层(6)上设置透光盖板(5),在隔离层(6)不覆盖感光区(4)时,透光盖板(5)、隔离层(6)及芯片本体(1)之间形成空腔(12);在芯片本体(1)上形成硅沟槽(13),且硅沟槽(13)底部直接停止芯片内部钝化层(2)的下表面,使芯片内部钝化层(2)下表面裸露出来;在芯片内部钝化层(2)和芯片内部金属层(3)上形成盲孔Ⅰ(6.1),且盲孔Ⅰ(6.1)停止于隔离层(6)内部;在所述盲孔Ⅰ(6.1)内以及芯片内部钝化层(2)的下表面形成钉帽(7),在芯片本体(1)下表面、硅沟槽(13)内、裸露出的芯片内部钝化层(2)的下表面以及钉帽(7)的帽沿(7‑2)的表面选择性的设置绝缘层(8),并在所述钉帽(7)下方的绝缘层(8)上设置开口,形成盲孔Ⅱ(8‑1),金属线路层(9)填充于所述盲孔Ⅱ(8‑1)内,形成钉头(9‑1),及选择的形成于绝缘层(8)表面,钉头(9‑1)与所述钉帽(7)形成铆钉互联结构,使金属线路层(9)与钉帽(7)形成互连,在绝缘层(8)及金属线路层(9)上选择性的设置线路保护层(10),同时在金属线路层(9)露出线路保护层(10)的地方设置焊球(11)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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