[实用新型]一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜有效
| 申请号： | 201120440884.4 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN202405261U | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;王文 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜，包括：玻璃衬底，位于玻璃衬底上的硅氧化物，位于硅氧化物上面的全部晶化的多晶硅层；位于多晶硅层上的纳米二氧化硅层；纳米二氧化硅层上蚀刻出多个诱导窗口，多晶硅层形成连续的带状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 诱导 多晶 薄膜 | ||
【主权项】：
掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜，包括：玻璃衬底，位于玻璃衬底上的硅氧化物，位于硅氧化物上面的全部晶化的多晶硅层；位于多晶硅层上的纳米二氧化硅层；其特征在于，纳米二氧化硅层上蚀刻出多个诱导窗口，多晶硅层形成连续的带状结构。
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