[实用新型]半导体晶片气蚀装置

摘要

本实用新型公开一种半导体晶片气蚀装置，设有基座和气蚀罩，气蚀罩能够密封罩于基座上构成密闭空间，基座上设有晶片定位座，气蚀罩上开设有进气孔，基座上开设有出气孔，密闭空间内通过进气孔通入HF气体与晶片表面接触以去除晶片表面的氧化膜，同时通过出气孔将气体抽出，以保持密闭空间内吹气顺利以及压力恒定，气蚀时，与晶片定位座接触的晶片表面由于不接触HF气体，不被蚀刻去除氧化膜，而不与晶片定位座接触的晶片表面皆与HF气体接触，皆被蚀刻去除氧化膜，基于上述原理，该半导体晶片气蚀装置不仅能够蚀刻去除晶片表面的氧化膜，且能够完成普通蚀刻和宽边蚀刻两种蚀刻要求。

主权项

一种半导体晶片气蚀装置，其特征在于：设有基座(1)和气蚀罩(2)，所述气蚀罩位于所述基座上方，所述气蚀罩能够罩于所述基座上构成密闭空间(3)，所述基座上设有晶片定位座(4)，所述气蚀罩上开设有进气孔(5)，所述进气孔与所述密闭空间相通，所述基座上开设有若干出气孔(6)，所述出气孔与所述密闭空间相通。