[实用新型]单台面双向触发二极管芯片有效
| 申请号： | 201120501673.7 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN202363465U | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 邓爱民;吴金姿;徐泓;保爱林 | 申请（专利权）人： | 绍兴旭昌科技企业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 徐关寿 |
| 地址： | 312000 浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种单台面双向触发二极管芯片。它包括硅基片，在硅基片上制作有第一PN结和第二PN结的一侧的两边开有斜向侧壁，第一PN结和第二PN结二端均裸露在斜向侧壁，形成单面凸台，芯片在纵向上分为第一区域、第二区域和第三区域，在凸台的斜向侧壁上设有钝化层，钝化层包封第一PN结和第二PN结，在凸台的台面和硅基片底面设有金属层。本实用新型具有结构合理，制造工艺简单，可实现全自动测试作业等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 台面 双向 触发 二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种单台面双向触发二极管芯片，包括硅基片（1），其特征在于：在硅基片（1）上制作有第一PN结（6）和第二PN结（4）的一侧的两边开有斜向侧壁（8），第一PN结（6）和第二PN结（4）二端均裸露在斜向侧壁（8）上，形成单面凸台（11），芯片沿纵向分为第一区域（3）、第二区域（5）和第三区域（7），其中第一区域（3）最高杂质浓度（C1）为：8.5e17～3.0e20，第二区域（5）最高杂质浓度（C2）为：5.0e14～9.5e16，第三区域（7）最高杂质浓度（C3）为：2.0e17～4.5e19，第一PN结（6）和第二PN结（4）间距（10）为20～60微米，在凸台（11）的斜向侧壁（8）上设有钝化层（9），钝化层（9）包封第一PN结（6）和第二PN结（4），在凸台（11）的台面（2）和硅基片（1）底面设有金属层（12）。
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