[实用新型]准单晶硅片外观测量装置有效
| 申请号： | 201120503109.9 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN202339326U | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 钱峰;魏青竹;孙利国;任军林;陆俊宇;汪燕玲 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01B11/28 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215542 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种准单晶硅片外观测量装置，包括有基底层，其特点是：基底层为透明菲林底片，该透明菲林底片上等距离纵横分布有基准参考线，且基准参考线之间构成阵列式网格。这样，通过阵列式网格的存在，可以采用直观的统计计算得出单晶晶粒、多晶晶粒占据准单晶硅片面积的比例，可以快速评价准单晶硅片质量。并且，能够提高检测的准确率。再者，本实用新型造价简单，易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 外观 测量 装置 | ||
【主权项】：
准单晶硅片外观测量装置，包括有基底层，其特征在于：所述的基底层为透明菲林底片，所述的透明菲林底片上等距离纵横分布有基准参考线，所述的基准参考线之间构成阵列式网格。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中利腾晖光伏科技有限公司，未经中利腾晖光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120503109.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：辐射骚扰测量中的大电流电源连接装置
- 下一篇：吸附式温度传感器
