[实用新型]一种低刻蚀率等离子体刻蚀室

摘要

本实用新型公开了一种低刻蚀率等离子体刻蚀室，将作为上电极的气体喷淋头材料设置为石英，由于石英材料的介电常数较小，因而晶片表面的射频耦合较差，从而降低了刻蚀速率；当刻蚀气体中包含碳氟化合物时，由于石英喷淋头会消耗一部分活性组分，因此刻蚀速率也会降低。通过采用石英材料制作气体喷淋头，可以控制较高的碳氟化物流量和较高的射频功率完成低速率的刻蚀，便于精确控制，从而改善刻蚀工艺的可靠性和稳定性。同时，由于石英材料本身的腐蚀速率快于碳化硅和硅，因而不会在气体喷淋头表面发生变黑现象。

主权项

一种低刻蚀率等离子体刻蚀室，包括一上电极和一下电极，所述的下电极上设置一静电吸盘，所述静电吸盘上放置待处理晶片；所述的上电极上设置多个气体通孔，所述上电极同时作为反应气体进入等离子体刻蚀室的气体喷淋头，其特征在于：所述的待处理晶片自上而下包括图形化的光刻胶掩膜层、氧化硅层，所述的氧化硅层厚度为小于50纳米，所述气体喷淋头材质为石英。