[实用新型]可防止晶圆过反应的反应装置有效
| 申请号： | 201120513869.8 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN202373562U | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;杜亮;赖力彰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种可防止晶圆过反应的反应装置，包括反应槽和补水管，所述反应槽通过连接管路和厂务排放系统连接，所述补水管伸入所述反应槽内部，还包括缓冲罐、排放管和真空泵，所述缓冲罐设置于所述反应槽的下方，所述反应槽的底部开设一个排放口，所述排放管的一端接所述反应槽的排放口，所述排放管的另一端接所述缓冲罐，所述真空泵设置于所述缓冲罐和所述厂务排放系统的连接管路上。当出现紧急情况，需要快速排放反应液时，通过开启真空泵，使得缓冲罐内的出现负压，由此可使反应槽内的反应液快速经排放口通过排放管流入到缓冲罐内，同时经由补水管对反应槽内的晶圆进行冲洗，可以有效防止晶圆在反应液中时间过长，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 可防止 反应 装置 | ||
【主权项】：
一种可防止晶圆过反应的反应装置，包括反应槽和补水管，所述反应槽通过连接管路和厂务排放系统连接，所述补水管伸入所述反应槽内部，其特征在于，还包括缓冲罐、排放管和真空泵，所述缓冲罐设置于所述反应槽的下方，所述反应槽的底部开设一个排放口，所述排放管的一端接所述反应槽的排放口，所述排放管的另一端接所述缓冲罐，所述真空泵设置于所述缓冲罐和所述厂务排放系统的连接管路上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
