[实用新型]低失调电流比较器有效

专利信息
申请号: 201120520566.9 申请日: 2011-12-13
公开(公告)号: CN202435270U 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 朱波;王国瑞 申请(专利权)人: 无锡新硅微电子有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所 32104 代理人: 曹祖良
地址: 214028 江苏省无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种低失调电流比较器,其包括第一三极管及第二三极管,第一三极管及第二三极管的基极端均与第三三极管的发射极相连;第一三极管的集电极及第三三极管的基极端均与第五MOS管的漏极端相互连接,第三三极管的集电极与第四MOS管至第七MOS管的源极端相连;第六MOS管的漏极端与第二三极管的集电极相连;第六MOS管的栅极端与其漏极端相连,并与第七MOS管的栅极端相连;第七MOS管的漏极端与第三MOS管的漏极端相连,第三MOS管与第二MOS管及第一MOS管的源极端接地;第三MOS管的栅极端与第二MOS管及第一MOS管相互连接;第二MOS管的漏极端与第四MOS管的漏极端相连。本实用新型检测精度高,确保变换器稳定工作,提高变换器的转换效率。
搜索关键词: 失调 电流 比较
【主权项】:
一种低失调电流比较器,包括第一三极管(Q1)及第二三极管(Q2),所述第一三极管(Q1)的基极端与第二三极管(Q2)的基极端相连;第一三极管(Q1)的发射极与第一电阻(R1)相连,第二三极管(Q2)的发射极通过第二电阻(R2)接地;其特征是:所述第一三极管(Q1)及第二三极管(Q2)的基极端均与第三三极管(Q3)的发射极相连;第一三极管(Q1)的集电极及第三三极管(Q3)的基极端均与第五MOS管(M5)的漏极端相互连接,第三三极管(Q3)的集电极分别与第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)及第七MOS管(M7)的源极端相连,且第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)及第七MOS管(M7)的源极端相互连连接;第六MOS管(M6)的漏极端与第二三极管(Q2)的集电极相连,第六MOS管(M6)的栅极端与第七MOS管(M7)的栅极端相连,且第六MOS管(M6)的栅极端与第六MOS管(M6)的漏极端相连;第七MOS管(M7)的漏极端与第三MOS管(M3)的漏极端相连,所述第三MOS管(M3)的源极端与第二MOS管(M2)的源极端及第一MOS管(M1)的源极端相互连接并接地;第三MOS管(M3)的栅极端与第二MOS管(M2)及第一MOS管(M1)的栅极端相互连接,第一MOS管(M1)的栅极端与第一MOS管(M1)的漏极端相连;第二MOS管(M2)的漏极端与第四MOS管(M4)的漏极端相连,第四MOS管(M4)的栅极端与所述第四MOS管(M4)的漏极端相连。
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