[实用新型]一种用于晶圆多晶硅膜生长过程中的气体弥散装置

摘要

本实用新型提供一种用于晶圆多晶硅膜生长过程中的气体弥散装置，装置包括：主进气管，中心管，补偿进气管，上述三根管的两端部分别连通，连通后的一端接主进气口，另一端接次进气口，主进气管上等距分布着主进气孔，补偿进气管为变径管，一段为主补偿进气管，一端为次补偿进气管，主补偿进气管上有等距分布着主补偿进气孔，次补偿进气管上有等距分布着的次补偿进气孔。通过三个不同尺寸的进气管及上面分布的不同距离和孔尺寸的大小来控制气体的流量和流速，从在反应腔体内形成一个稳定的气体模型。本实用新型的优点：本装置简单，改造安装方便，工作效率高，比原来温度梯度生长膜质质量会大幅提升，多晶硅膜产品质量均匀一致，加工成本低。

主权项

一种用于晶圆多晶硅膜生长过程中的气体弥散装置，其特征在于：它包括：主进气管(3)，中心管，补偿进气管，上述三根管的两端部分别连通，连通后的一端接主进气口(1)，另一端接次进气口(2)，主进气管上等距分布着主进气孔，所述的补偿进气管为变径管，其中一段为主补偿进气管(4)，一端为次补偿进气管(5)，主补偿进气管上设有等距分布的主补偿进气孔，次补偿进气管上设有等距分布的次补偿进气孔。