[实用新型]一种多进风口模式的变频器散热结构有效
申请号: | 201120531596.X | 申请日: | 2011-12-17 |
公开(公告)号: | CN202364105U | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 陈淑建;罗新;畅磊 | 申请(专利权)人: | 浙江艾得森电气有限公司 |
主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;H05K7/20 |
代理公司: | 温州金瓯专利事务所(普通合伙) 33237 | 代理人: | 王坚强 |
地址: | 325000 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种多进风口模式的变频器散热结构。主要解决了现有的变频器的风道结构散热效果差的问题。其特征在于:进风口(2)和排风口(3)为多个且分布在机箱(1)的下端及上端的侧壁,整流桥和可控硅安装在同一散热器(6)上,IGBT模块分为三组且分别安装在三个不同的散热器(6)上,散热器(6)穿过隔板(4)并位于隔板(4)的另一侧,散热器(6)侧面的主控板(5)上设有条形通槽(7),散热器(6)上扣合有密闭的壳罩(8)形成独立的散热风道,壳罩(8)上安装有风扇组(9)。该散热结构针对不同的发热元件采用独立的散热风道进行散热,具有较好的散热效果,满足了大功率变频器的散热需求。 | ||
搜索关键词: | 一种 风口 模式 变频器 散热 结构 | ||
【主权项】:
一种多进风口模式的变频器散热结构,包括机箱(1),机箱(1)内设有隔板(4),隔板(4)上安装有主控板(5),所述的主控板(5)的一侧安装有整流桥、可控硅及IGBT模块,机箱(1)上设进风口(2)和排风口(3),其特征在于:进风口(2)和排风口(3)为多个且分布在机箱(1)的下端及上端的侧壁,整流桥和可控硅安装在同一散热器(6)上,IGBT模块分为三组且分别安装在三个不同的散热器(6)上,散热器(6)穿过隔板(4)并位于隔板(4)的另一侧,散热器(6)侧面的主控板(5)上设有条形通槽(7),散热器(6)上扣合有密闭的壳罩(8)形成独立的散热风道,壳罩(8)上安装有风扇组(9)。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
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