[实用新型]一种太赫兹波高速调制器

摘要

本实用新型公开了一种太赫兹波高速调制器，包括衬底层，在该衬底层上生长有缓冲层，在该缓冲层生长有应变量子阱结构，在该应变量子阱结构的上表面制备的由金属谐振单元周期阵列组成的金属超材料结构；所述缓冲层与衬底层材料相同，所述势阱层的能带隙小于势垒层，且所述势垒层与衬底层的晶格常数的相同或相差0.5%以内。本实用新型应变量子阱结构内具有由应变产生的极强的压电场，能够显著延长光生载流子的复合寿命和浓度，从而极大降低对调制激光器功率的要求；通过改变InGaAs/GaAs应变量子阱中In组分和量子阱宽度，可灵活地调节内部压电场的大小和电荷空间分离的程度，进而方便地调节本实用新型调制速率。

主权项

一种太赫兹波高速调制器，其特征在于：包括衬底层（1），在该衬底层（1）上生长有一缓冲层（2），在该缓冲层（2）生长有应变量子阱结构，在该应变量子阱结构的上表面制备的由金属谐振单元周期阵列组成的金属超材料结构（3）；所述应变量子阱结构包括两个以上的势垒层（4）和至少一个势阱层（5），所述势阱层（5）处于两势垒层（4）中间，且所述应变量子阱结构最上层和最下层都是势垒层；所述衬底层（1）是＜111＞面取向，所述缓冲层（2）与衬底层（1）材料相同，所述势阱层（5）的能带隙小于势垒层（4），且所述势垒层（4）与衬底层（1）的晶格常数相同或者相差不超过0.5%。