[实用新型]低势垒肖特基二极管的结构有效
| 申请号： | 201120534643.6 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN202394978U | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘宪成;吴志伟;王平 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种低势垒肖特基二极管的结构，包括半导体衬底；N型外延层，位于所述半导体衬底的正面；钝化层，位于所述N型外延层上，所述钝化层具有开窗；势垒合金层，位于所述开窗中的N型外延层上，所述势垒合金层的材质为钛的硅化物。本实用新型所述低势垒肖特基二极管的结构，以钛的硅化物作为势垒合金层，其中优选二硅化钛作为势垒合金层，使形成的势垒合金层具有良好的工艺稳定性，降低了对开窗中的外延层表面态的要求，且相比于现有技术中常用的势垒金属层，能够形成更低的势垒高度、更低正向压降的低势垒肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 低势垒肖特基 二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种低势垒肖特基二极管的结构，其特征在于，包括半导体衬底；N型外延层，位于所述半导体衬底的正面；钝化层，位于所述N型外延层上，所述钝化层具有开窗；势垒合金层，位于所述开窗中的N型外延层上，所述势垒合金层的材质为钛的硅化物。
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