[实用新型]一种选择性发射极有效
| 申请号： | 201120558163.3 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN202585430U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 班群;康凯;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 528100 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种选择性发射极，包括：重掺杂区和低掺杂区；其中，所述重掺杂区包括主栅重掺杂区和细栅重掺杂区，所述主栅重掺杂区与所述细栅重掺杂区垂直相连；所述重掺杂区还设置有点槽。采用本实用新型，可提高晶体硅电池的短波响应能力、增加电池的开路电压和短路电流，解决激光化学同步掺杂方法均匀性不佳、晶格损伤大及载流子符合较严重的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 | ||
【主权项】：
一种选择性发射极，其特征在于，所述选择性发射极包括重掺杂区和低掺杂区；其中，所述重掺杂区包括主栅重掺杂区和细栅重掺杂区，所述主栅重掺杂区与所述细栅重掺杂区垂直相连；所述重掺杂区还设置有点槽。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
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