[实用新型]一种光点位置检测传感器

摘要

本实用新型公开了一种光点位置检测传感器，包括依次设置的第一低阻半导体层、高阻半导体层、第二低阻半导体层和绝缘抗反射保护层；第一低阻半导体层与高阻半导体层的导电类型相同；高阻半导体层与第二低阻半导体层的导电类型相反形成半导体PN结，第二低阻半导体层的掺杂浓度高于高阻半导体层的掺杂浓度；绝缘抗反射保护层的表面设有四根相同的电极，四根电极围成正方形有效光敏区域；第一低阻半导体层的表面设有金属层。本实用新型基于雪崩击穿原理工作，响应电流具有自激放大作用，使灵敏度得到大大提高；本实用新型可采用普通硅片进行制造，材料成本低，显著降低了传感器的制造成本。

主权项

一种光点位置检测传感器，其特征在于，包括依次设置的第一低阻半导体层(1)、高阻半导体层(2)、第二低阻半导体层(3)和绝缘抗反射保护层(4)；所述第一低阻半导体层(1)与高阻半导体层(2)的导电类型相同；所述高阻半导体层(2)与第二低阻半导体层(3)的导电类型相反形成半导体PN结，所述第二低阻半导体层(3)的掺杂浓度高于高阻半导体层(2)的掺杂浓度；所述绝缘抗反射保护层(4)的表面设有四根相同的电极(5)，四根所述电极(5)围成正方形有效光敏区域；所述第一低阻半导体层(1)的表面设有金属层(6)。