[实用新型]多层保护的玻璃钝化芯片有效
| 申请号： | 201120562663.4 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN202384330U | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 邓华鲜;孙晓家 | 申请（专利权）人： | 乐山嘉洋科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/861 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 毛光军 |
| 地址： | 614000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种多层保护的玻璃钝化芯片，包括半导体基片、半导体基片上的P+层、N+层和玻璃钝化层，所述半导体基片的腐蚀沟槽内设置有含氧多晶硅保护层和氮化硅保护层，所述含氧多晶硅保护层位于腐蚀沟槽表面上，氮化硅保护层位于含氧多晶硅保护层与玻璃钝化层之间。本实用新型可提高芯片抗反向电压冲击能力，提高成品寿命及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 保护 玻璃 钝化 芯片 | ||
【主权项】：
一种多层保护的玻璃钝化芯片，包括半导体基片（1）、半导体基片（1）上的P+层（2）、N+层（3）和玻璃钝化层（4），其特征在于：所述半导体基片（1）的腐蚀沟槽内设置有含氧多晶硅保护层（5）和氮化硅保护层（6），所述含氧多晶硅保护层（5）位于腐蚀沟槽表面上，氮化硅保护层（6）位于含氧多晶硅保护层（5）与玻璃钝化层（4）之间。
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