[发明专利]氮化镓(GaN)自立基板的制造方法和制造装置无效
| 申请号： | 201180000029.4 | 申请日： | 2011-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN102656298A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 后藤秀树 | 申请（专利权）人： | 高晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是抑制在种基板的两末端周边部的氮化镓晶体的异常生长，该课题通过使用衬托器来解决。所述衬托器具有固定种基板的凹槽部分、和在衬托器与种基板之间的不与种基板反应的辅助衬托器而构成，并且，在种基板与辅助衬托器之间具有间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 gan 自立 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种氮化镓自立基板的制造方法，是基于气相生长法的氮化镓自立基板的制造方法，包括：向配置有与所述氮化镓不同的种基板的衬托器供给形成氮化镓晶体的原料气体，在所述衬托器上的所述种基板上，抑制在所述种基板的两末端周边部的氮化镓晶体的异常生长，而气相生长出氮化镓自立基板，所述衬托器具有固定所述种基板的凹槽部分、和在所述衬托器与所述种基板之间的不与所述种基板反应的辅助衬托器而构成，并且，在所述种基板与所述辅助衬托器之间具有间隙，抑制在所述种基板的两末端周边部的氮化镓晶体的异常生长。
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