[发明专利]部件的布置方法有效
| 申请号： | 201180001590.4 | 申请日： | 2011-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102365723A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 荒瀬秀和 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H05K3/38 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;李巍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
一种部件的布置方法包括：制备基板和第一液体的步骤；制备含有部件和第二液体的含部件液体的步骤；在亲水区域中布置第一液体的步骤；使含部件液体与布置于亲水区域的第一液体接触的步骤；去除第一液体和第二液体以在亲水区域上布置部件的步骤。所述亲水区域由部件布置区域和形成于部件布置区域周围的液体捕获区域组成。所述液体捕获区域包括由下述化学式I表示的表面。 |
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| 搜索关键词： | 部件 布置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上布置部件的方法，所述方法包括：制备基板和第一液体的步骤，其中所述基板包括斥水区域和亲水区域，所述斥水区域包括涂覆有氟化合物的表面，所述斥水区域环绕所述亲水区域，且所述第一液体是亲水的，制备含有部件和第二液体的含部件液体的步骤，其中所述第二液体不溶于所述第一液体，且所述部件包括亲水表面，在所述亲水区域上布置所述第一液体的步骤，使所述含部件液体与布置于所述亲水区域上的所述第一液体接触的步骤，去除所述第一液体和所述第二液体以在所述亲水区域上布置部件的步骤，其中，所述亲水区域由部件布置区域和液体捕获区域组成，所述部件布置于所述部件布置区域上，所述液体捕获区域形成于所述部件布置区域的周围，且所述液体捕获区域包括由下述化学式I表示的表面：![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
