[发明专利]薄膜晶体管装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201180001792.9 | 申请日： | 2011-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN102754212A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 永井久雄;堀田定吉;河内玄士朗 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;松下液晶显示器株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可得到充分的载流子迁移率的薄膜晶体管装置及其制造方法。将源电极(110)或漏电极(120)与硅层(130)及(140)层叠而成的膜厚是与将第1沟道层(150)和第2沟道层(160)层叠而成的膜厚相同的相同值或相同值的邻域值的范围内的膜厚，将第1沟道层(150)和第2沟道层(160)层叠而成的膜厚在源电极(110)及漏电极(120)之间的区域、以及源电极(110)及漏电极(120)的上方是相同膜厚，第1沟道层(150)和第2沟道层(160)沿着源电极(110)及漏电极(120)之间的形状在源电极(110)及漏电极(120)之间的区域凹陷，栅电极(180)具有与源电极(110)及漏电极(120)重叠的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管装置，包括：基板，源电极及漏电极，其形成在所述基板上，硅层，其层叠在所述源电极及漏电极的上面区域内，为非晶的掺杂有杂质的层，第1沟道层，其在所述基板上的所述源电极及漏电极之间的区域、所述源电极及漏电极的侧面、和所述硅层的侧面及上面连续形成，由非晶硅层构成，第2沟道层，其层叠在所述第1沟道层上，在所述源电极及漏电极之间的区域和所述硅层的侧方及上方连续形成，由多晶硅层及微晶硅层的任一方构成，栅极绝缘膜，其形成在所述第2沟道层上，和栅电极，其形成在所述栅极绝缘膜上；将所述源电极或漏电极和所述硅层层叠而成的膜厚是与将所述第1沟道层和所述第2沟道层层叠而成的膜厚相同的相同值或所述相同值的邻域值的范围内的膜厚，将所述第1沟道层和所述第2沟道层层叠而成的膜厚在所述源电极及漏电极之间的区域、以及所述源电极及漏电极的上方是相同膜厚，所述第1沟道层和所述第2沟道层沿着所述源电极及漏电极之间的形状在所述源电极及漏电极之间的区域凹陷，所述栅电极具有与所述源电极及漏电极重叠的区域。
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