[发明专利]用于电容感应电极相关应用的网格结构有效
申请号: | 201180002808.8 | 申请日: | 2011-08-09 |
公开(公告)号: | CN102667693A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 蔡明进;派崔克·普伦德贾斯特 | 申请(专利权)人: | 赛普拉斯半导体公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;G06F3/041 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 曾贤伟;张瑛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 电容性传感器阵列的一个实施例可以包括第一多个传感器元件和包含主迹线的第二传感器元件,其中主迹线与第一多个传感器元件中的每一个交叉以形成多个交叉。单位晶格可以与每个交叉相关联,并且每个单位晶格可以指定最接近对应的交叉的一组位置。主迹线的连续段可以穿过多个单位晶格中的至少一个。在每个单位晶格内,第二传感器元件可以包括从主迹线分叉的至少一个初级子迹线。 | ||
搜索关键词: | 用于 电容 感应 电极 相关 应用 网格 结构 | ||
【主权项】:
一种电容性传感器阵列,包括:第一多个传感器元件,所述第一多个传感器元件中的每一个包括核心迹线,其中,所述核心迹线是所述第一多个传感器元件中的每一个的最宽的迹线;以及第二传感器元件,所述第二传感器元件包括主迹线,其中,主迹线与所述第一多个传感器元件中的每一个交叉以形成均与单位晶格相关联的多个交叉,其中,所述多个单位晶格中的每一个指定最接近相应交叉的一组位置,其中,主迹线的连续部分穿过所述多个单位晶格中的至少一个,其中,所述第一多个传感器元件中的每一个的核心迹线的连续部分穿过所述多个单位晶格中的至少一个,并且其中,在每个单位晶格内,第二传感器元件包括从主迹线分叉的至少一个初级子迹线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛普拉斯半导体公司,未经赛普拉斯半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180002808.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种蓝叶忍冬嫩枝弥雾扦插培育方法
- 下一篇:侧方射出装置及其制造方法